专利详情

专利名称	Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料及其制备方法
申请号	CN201310251810.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103320724A	公开（授权）日	2013.09.25
申请（专利权）人	中国石油大学(北京);中国科学院金属研究所	发明（设计）人	杨峰;倪丁瑞;马宗义;崔立山
主分类号	C22C47/00(2006.01)I	IPC主分类号	C22C47/00(2006.01)I;C22C49/00(2006.01)I;C22C111/02(2006.01)N
专利有效期	Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料及其制备方法至Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料及其制备方法。该Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料的制备方法包括以下步骤：采用搅拌摩擦加工使Mo粉末掺入到CuZnAl复合材料板材中，得到Mo/CuZnAl复合材料；对所述Mo/CuZnAl复合材料依次进行轧制、拔丝，得到所述的Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料。该Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料由该制备方法所制备得到。本发明采用搅拌摩擦+轧制+拔丝的制备方法，使复合材料中的Mo微纳米线沿轴向均匀分布在CuZnAl形状记忆合金基体中。