专利详情

专利名称	半导体器件
申请号	CN201190000081.5	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203205398U	公开（授权）日	2013.09.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	半导体器件至半导体器件	法律状态
说明书摘要	提供一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底（201）、栅堆叠（210）、源区（241）、漏区（242）、接触塞（230）和层间介质（260）。所述栅堆叠（210）形成在衬底（201）上，所述源区（241）和漏区（242）位于栅堆叠（210）两侧并嵌于衬底（201）中，所述接触塞（230）嵌于所述层间介质（260）中。所述接触塞（230）包括第一部（280），所述第一部（280）连接所述源区（241）和漏区（242），所述第一部（280）的上表面与所述栅堆叠（210）的上表面齐平，且所述第一部（280）的侧壁与底壁的夹角小于90°。所述第一部（280）与所述源区（241）和/或漏区（242）的接触面积增大，有利于减小接触电阻。所述第一部（280）的顶部与所述栅堆叠（210）之间的距离增大，有利于降低所述第一部（280）的顶部与所述栅堆叠（210）之间短路的可能性。