专利详情

专利名称	实现面阵CMOS传感器双向扫描清晰成像的方法
申请号	CN201310184511.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103312994A	公开（授权）日	2013.09.18
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	陶淑苹;张续严;金光;曲宏松;郑晓云;贺小军
主分类号	H04N5/353(2011.01)I	IPC主分类号	H04N5/353(2011.01)I;H04N5/374(2011.01)I
专利有效期	实现面阵CMOS传感器双向扫描清晰成像的方法至实现面阵CMOS传感器双向扫描清晰成像的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	实现面阵CMOS传感器双向扫描清晰成像的方法，涉及光电探测成像领域，解决现有TDICCD实现双向扫描成像时采用增加对称积分电路的方式，存在硬件电路复杂以及成本高的问题，CMOS传感器用于输出面阵图像；两片片外存储器用于存储CMOS传感器输出的数字图像，并不同扫描方向时按照不同的TDI控制时序实现数字图像时间延迟积分。扫描方向判断装置用于对当前传感器相对目标景物的运动方向做出判断，根据正向扫描或者反向扫描选择针对性的TDI算法实现方式，数字域双向扫描TDI可以根据输入的运动方向自动选择匹配的数字域TDI算法并控制两片存储器完成正向扫描和反向扫描时不同的读写操作，本发明适用于对地遥感的应用。