专利详情

专利名称	高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法
申请号	CN201310176608.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103311106A	公开（授权）日	2013.09.18
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周旭亮;于红艳;米俊萍;潘教青;王圩
主分类号	H01L21/205(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/205(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I
专利有效期	高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法至高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；步骤3：在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；步骤4：将样品进行抛光，清洗；步骤5：将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；步骤6：在样品表面生长砷化镓盖层，完成材料的制备。本发明可以解决硅衬底向III-V族材料过渡问题，为硅基砷化镓光电子和微电子器件奠定衬底基础。