专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201210067446.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103311281A	公开（授权）日	2013.09.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	殷华湘;付作振;徐秋霞;赵超;陈大鹏
主分类号	H01L29/423(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的多个栅极堆叠结构、每个栅极堆叠结构两侧的多个栅极侧墙结构、每个栅极侧墙结构两侧衬底中的多个源漏区，多个栅极堆叠结构包括多个第一栅极堆叠结构和多个第二栅极堆叠结构，其中第一栅极堆叠结构包括第一栅极绝缘层、第一功函数金属层、第二功函数金属扩散阻挡层、栅极填充层，第二栅极堆叠结构包括第二栅极绝缘层、第一功函数金属层、第二功函数金属层、栅极填充层，其特征在于：第一功函数金属层具有第一应力，栅极填充层具有第二应力。通过形成不同应力的两个金属栅极层，从而有效、精确地向不同MOSFET的沟道区施加不同的应力，简单高效地提高了器件载流子迁移率，从而提高了器件性能。