专利详情

专利名称	多波长激光器阵列芯片的制作方法
申请号	CN201310230999.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103311807A	公开（授权）日	2013.09.18
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	梁松;张灿;韩良顺;朱洪亮;王圩
主分类号	H01S5/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/40(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I
专利有效期	多波长激光器阵列芯片的制作方法至多波长激光器阵列芯片的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种多波长激光器阵列芯片的制作方法，包括：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下分别限制层及多量子阱层；步骤2：将一部分多量子阱层腐蚀掉，该腐蚀掉的部分为无源光合波器区，剩余的部分为有源区；步骤3：在保留的多量子阱层上制作介质掩膜对；步骤4：在无源光合波器区和有源区的上表面上外延生长上分别限制层；步骤5：去掉暴露的介质掩膜对，在有源区的上分别限制层上制作光栅；步骤6：在上分别限制层上外延包层及接触层；步骤7：在有源区的接触层上刻蚀有源波导，在无源光合波器区的接触层上刻蚀无源光合波器波导，刻蚀深度大于包层和接触层的厚度；步骤8：在有源波导波导上制作P电极；步骤9：将衬底减薄，在减薄后的衬底的背面并制作N电极，完成制备。