专利详情

专利名称	薄膜光电导探测器及其制备方法与应用
申请号	CN201310183177.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103311439A	公开（授权）日	2013.09.18
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	靳志文;王吉政;张志国
主分类号	H01L51/46(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I
专利有效期	薄膜光电导探测器及其制备方法与应用至薄膜光电导探测器及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种薄膜光电导探测器及其制备方法与应用。该薄膜光电导探测器，由下至上依次包括基底、载流子传输层、电极层和吸光层；电极层由位于同一层的正极层和负极层组成。该探测器结合了无机材料的高迁移率与有机材料的高吸光，当光照射到光电器件的有机层上时，最上层的有机材料吸光产生载流子，由于有机层与无机层间的能级差与载流子的浓度差，光生载流子进入无机材料层，并很快的被电极收集从而有很大的G和R值。同时，因为无机材料高的迁移率，使的器件的光电流响应时间和衰减时间也大大减小，从而提高了薄膜光导器件的灵敏度，具有重要的应用价值。