专利详情

专利名称	一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法
申请号	CN201310226455.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103311276A	公开（授权）日	2013.09.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	金智;彭松昂;麻芃;张大勇;史敬元;陈娇
主分类号	H01L29/16(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/16(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L21/32(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法至一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法，该自对准石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层、栅金属和自对准金属，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘体上，导电沟道由石墨烯构成，源电极和漏电极分别形成于导电通道的两侧，栅介质层选择性沉积在源电极和漏电极之间的导电沟道上，栅金属形成于栅介质层之上，栅介质层与栅金属同时图形化堆砌在一起形成栅堆积层，对沟道区载流子浓度进行调控；自对准金属层覆盖源电极、漏电极、导电通道以及栅金属之上，减小未被栅条覆盖区域面积，实现器件栅与源漏的自对准。