专利详情

专利名称	三结级联太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201310207650.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103311353A	公开（授权）日	2013.09.18
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	于淑珍;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;赵勇明;赵春雨;杨辉
主分类号	H01L31/0687(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	三结级联太阳能电池及其制备方法至三结级联太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及太阳能技术领域，尤其是几种三结级联太阳能电池，其包括在GaAs衬底上依次生长的底电池层、第一隧道结、中间电池层、第二隧道结、顶电池层及GaAs接触层；所述GaAs衬底底部设有下欧姆电极及所述GaAs接触层顶部还设有上欧姆电极、抗反射膜。本发明还提供这几种太阳能电池的制备方法。本发明实现对太阳光谱的分段吸收利用，各个子电池间的电流匹配，每个电池层与GaAs晶格匹配，可获得较高的电池效率，是一种潜在的理想的太阳能电池材料。