专利详情

专利名称	Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用
申请号	CN201310199689.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103305920A	公开（授权）日	2013.09.18
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	吴浩迪;潘革波;肖燕
主分类号	C30B29/62(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/62(2006.01)I
专利有效期	Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用至Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用。该制备方法可包括：取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合，并加入水混合均匀，常温静置24h～48h，再分离出固形物，经乙腈等清洗后获得Ag-TCNQ一维纳米晶。该制备方法可用以制备有机电子器件。本发明工艺简单，易于操作，无需特殊的反应设备，反应条件温和，在常温下即可进行，适于工业化生产，并且最终产物纯度高，不含杂质，表面光滑，尺寸分布均一，具有很好的电学存储性能。