专利详情

专利名称	采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法
申请号	CN201210062362.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103303858A	公开（授权）日	2013.09.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尚海平;焦斌斌;卢迪克;李志刚;刘瑞文;陈大鹏
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法至采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法，硅基MEMS器件具有硅衬底，硅衬底的上表面有已经制备完成的电路结构层，该方法包括以下步骤：对硅衬底的下表面进行机械抛光，在硅衬底的下表面形成有机械损伤层；先采用光刻胶覆盖于电路结构层上，接着使用硅腐蚀液去除机械损伤层，然后去除光刻胶；在去除了所述机械损伤层后的硅衬底的下表面生长抗KOH溶液腐蚀膜并将其图形化；最后采用水浴加热的KOH溶液完成湿法释放工艺。本发明利用现有设备、工艺流程简单、节约工艺时间、生产成本低廉，并与传统微细加工工艺兼容的采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放工艺，从而进一步提高生产效率。