专利详情

专利名称	带有EBG的屏蔽结构、3D封装结构及其制备方法
申请号	CN201210043664.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103296009A	公开（授权）日	2013.09.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李君;万里兮;郭学平
主分类号	H01L23/552(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/552(2006.01)I
专利有效期	带有EBG的屏蔽结构、3D封装结构及其制备方法至带有EBG的屏蔽结构、3D封装结构及其制备方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明提供一种带有EBG的屏蔽结构、3D封装结构及其制备方法，所述带有EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层。所述制备带有EBG屏蔽结构的方法包括制备至少一层金属平面；制备中间绝缘层；制备至少一层带有周期性EBG结构的金属平面。所述一种3D封装结构，包括带有EBG的屏蔽结构、裸芯片、互联基板；所述裸芯片键合在所述互联基板上，所述裸芯片与所述屏蔽结构连接。还提供一种3D封装的制备方法。本发明能有效降低垂直3D互联封装中芯片间的近场耦合问题。