X射线平板探测器及其制造方法
- 申请号：CN201210050414.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103296035A
- 公开(公开)日：2013.09.11
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | X射线平板探测器及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210050414.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103296035A | 公开（授权）日 | 2013.09.11 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;王玉光;董立军;陈大鹏 |
| 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 专利有效期 | X射线平板探测器及其制造方法 至X射线平板探测器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 根据本发明的一方面，提供一种X射线平板探测器及其制造方法。X射线平板探测器包括按照矩阵排列的多个像素单元，每一个像素单元包括在绝缘衬底上集成在一起的一个传感器和一个像素读出电路，其中，所述像素读出电路包括位于至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体管位于所述传感器的上电极下方，并且所述至少一个薄膜晶体管中的至少一个与所述传感器相连接。根据本发明的X射线平板探测器可以将传感器和复杂的像素读出电路集成在一起，以获得改善的图像质量和降低的制造成本。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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