三维热电能量收集器及其制作方法
- 申请号:CN201210048653.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN103296190A
- 公开(公开)日:2013.09.11
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 三维热电能量收集器及其制作方法 | ||
| 申请号 | CN201210048653.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103296190A | 公开(授权)日 | 2013.09.11 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 徐德辉;熊斌;王跃林 |
| 主分类号 | H01L35/14(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/14(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I;H01L27/16(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
| 专利有效期 | 三维热电能量收集器及其制作方法 至三维热电能量收集器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种三维热电能量收集器及其制作方法,通过在低阻硅上刻蚀出多个凹槽及凹槽之间的硅柱,然后在凹槽表面形成绝缘层,并通过薄膜沉积技术制作热电柱,藉由所述热电柱与相邻的硅柱组成热电偶对,接着通过刻蚀沉积等工艺制作金属布线,衬底减薄、键合支撑衬底等工艺完成所述三维热电能量收集器的制作。本发明只需一次薄膜沉积工艺就完成了热电偶对结构的制作,简化了制作工艺。选择硅作为热电偶对的一种组分,保证了热电偶具有较高的塞贝克系数。采用垂直的柱形结构热电偶对,提高了热电能量收集器的机械稳定性。通过圆片级键合将热电偶结构和上下支撑衬底进行键合,提高了制作效率。 | ||
交易流程
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专利 -
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