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X射线探测器及其制造方法

  • 申请号:CN201210050416.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN103296036A
  • 公开(公开)日:2013.09.11
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 X射线探测器及其制造方法
申请号 CN201210050416.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103296036A 公开(授权)日 2013.09.11
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 殷华湘;王玉光;董立军;陈大鹏
主分类号 H01L27/146(2006.01)I IPC主分类号 H01L27/146(2006.01)I;G01T1/20(2006.01)I
专利有效期 X射线探测器及其制造方法 至X射线探测器及其制造方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本申请公开了一种X射线探测器及其制造方法。该X射线探测器,包括:互连基板;穿透互连基板并在其两个主表面上露出的键合互连;与互连基板的一个主表面键合的光电转换器件芯片;以及与互连基板的另一个主表面键合的CMOS像素读出芯片,其中,键合互连将光电转换器件芯片的焊盘与CMOS像素读出芯片的焊盘电连接。根据本发明的X射线探测器可以简化工艺、提高可靠性和成品率。

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