专利详情

专利名称	一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路
申请号	CN201310219259.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103293383A	公开（授权）日	2013.09.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	温景超;王立新;周虹珊
主分类号	G01R27/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01R27/02(2006.01)I
专利有效期	一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路至一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路，属于半导体器件测试技术领域。所述测试电路包括脉冲发生器、相位显示器、电压波形数字转换器、电流波形数字转换器、可调电感、第一选通开关和第二选通开关；脉冲发生器的信号端通过串联电流波形数字转换器、可调电感与第一选通开关的固定端电连接；第一选通开关的两个选择端分别与栅极和漏极电连接；第二选通开关的两个选择端分别与源极和漏极电连接；电压波形数字转换器的一端与可调电感电连接；相位显示器电压输入端的一端与可调电感电连接，另一端接地；相位显示器电流输入端与可调电感电连接。本发明为评估器件性能提供重要参数指标，对器件设计和提高器件开关特性具有重要意义。