专利详情

专利名称	一种离子敏传感器及其制作方法
申请号	CN201310163267.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103293209A	公开（授权）日	2013.09.11
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	张珽;于薇;李光辉;刘瑞;沈方平;其他发明人请求不公开姓名
主分类号	G01N27/414(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/414(2006.01)I
专利有效期	一种离子敏传感器及其制作方法至一种离子敏传感器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种离子敏传感器，包括上下层叠氧化硅层和硅衬底；间隔设置于所述氧化硅层上的源极、漏极；以及设置于所述源极、漏极之间的氧化硅层表面的石墨烯层，所述石墨烯层分别与所述源极插齿部、漏极插齿部连接；所述石墨烯层表层渗透有金属氧化物颗粒；以及微流控沟道层，架设于包覆有绝缘层的源极插齿部、漏极插齿部上，并与所述石墨烯层配合形成用于容纳待测物的空腔；所述微流控沟道层上还开设有通孔；悬浮栅极，插入所述通孔并伸至所述空腔内。本发明具有类场效应晶体管的结构，实现了高通量、高灵敏度，短响应时间等优点。