专利详情

专利名称	基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法
申请号	CN201210046230.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103295964A	公开（授权）日	2013.09.11
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	卞剑涛;狄增峰;张苗
主分类号	H01L21/8238(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I
专利有效期	基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法至基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法。根据本发明的制备方法，首先制备（100）/（110）全局混晶SOI结构；接着，在全局混晶SOI结构上依次外延弛豫的锗硅层和应变硅层后，再形成（110）外延图形窗口，并在（110）外延图形窗口处外延（110）硅层及非弛豫的锗硅层后，使图形化混晶SOI结构表面平坦化，接着再形成隔离器件的隔离结构，最后在（110）衬底部分制备P型高压器件结构、在（100）衬底部分制备N型高压器件结构和/或低压器件结构，由此可有效提高各器件的载流子迁移率，改善高压器件的Rdson，提高各器件性能，有利于进一步提高集成度、降低功耗。