专利详情

专利名称	TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法
申请号	CN201210042080.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103296008A	公开（授权）日	2013.09.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李君;万里兮;郭学平
主分类号	H01L23/552(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/552(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法至TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明提供一种TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法，其中，带有EBG的屏蔽结构的TSV或TGV转接板包括TSV或TGV转接板，以及所述EBG的屏蔽结构；所述带有EBG的屏蔽结构制备在所述TSV或TGV转接板中，或制备在所述TSV或TGV转接板两侧；所述EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层。本发明还提供一种TSV或TGV转接板制备方法，一种3D封装及其制备方法。本发明能有效降低垂直3D互联封装中芯片间的近场耦合问题。