一种基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器
- 申请号:CN201310268418.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号:CN103293715A
- 公开(公开)日:2013.09.11
- 法律状态:实质审查的生效
- 出售价格: 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 一种基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器 | ||
| 申请号 | CN201310268418.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103293715A | 公开(授权)日 | 2013.09.11 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明(设计)人 | 费永浩;陈少武 |
| 主分类号 | G02F1/01(2006.01)I | IPC主分类号 | G02F1/01(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器 至一种基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器,其包括:入射波导,其为直波导,用于接收入射光和输出出射光;弯曲波导,其与入射波导近距离设置,使得经过入射波导内的入射光部分耦合进该弯曲波导,且经过该弯曲波导的出射光部分耦合进所述入射波导并输出;马赫曾德尔干涉仪结构,其输入端与弯曲波导的输入端相连,其输出端与弯曲波导的输出端相连,以形成微环谐振腔,且其用于增加微环谐振腔的光损耗。行波电极,其用于向所述马赫曾德尔干涉仪结构加载电压,以使得马赫曾德尔干涉仪结构对输入其的光进行强度调制。本发明通过在微环非耦合区加入了MZI结构,利用微环临界耦合和非临界耦合状态的转换完成对入射光的调制。 | ||
交易流程
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