专利详情

专利名称	一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法
申请号	CN201310224594.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103296029A	公开（授权）日	2013.09.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王永;刘明;霍宗亮;刘璟;张满红;张康玮
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I
专利有效期	一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法至一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法，该硅纳米晶存储器包括：刻蚀硅衬底表面而形成的凹槽；形成于该凹槽之中的硅纳米晶存储器的主体结构，该主体结构自下而上依次包括隧穿氧化层、硅纳米晶和栅间氧化层；覆盖于该硅衬底的凹槽区域之上的多晶硅栅；以及形成于该凹槽两侧硅衬底之中的源极和漏极。利用本发明，只需要在衬底上先刻蚀一个凹槽，再在凹槽上制作器件，方法简单，而且与传统CMOS工艺完全兼容，器件存储特性好，可靠性高，非常适合大规模生产的广泛应用，可以彻底避免外围器件制作过程中笑脸效应对硅纳米晶的氧化，使得器件的存储特性等到保证。