专利详情

专利名称	TE偏振光谱选择性吸收器
申请号	CN201310154299.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103293572A	公开（授权）日	2013.09.11
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	吴俊;周常河;曹红超
主分类号	G02B5/00(2006.01)I	IPC主分类号	G02B5/00(2006.01)I
专利有效期	TE偏振光谱选择性吸收器至TE偏振光谱选择性吸收器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用于可见光波段（400-800nm）的TE偏振光谱选择性吸收器，该吸收器的顶部光栅的周期、占空比和厚度分别为310～314纳米、0.35～0.37、216～220纳米，中间电介质隔离层的膜厚为103～107纳米。当TE偏振光在-15度～15度范围内入射时，在中心波长561纳米附近一个较窄波段范围内的入射光将被吸收，随着结构参数和入射角度的变化，吸收光谱会发生较小地频移，峰值吸收波长会随之发生较小地频移，但是在各峰值波长处可始终保持近100%的吸收，并且吸收谱线的半高全宽一直小于20纳米。本发明TE偏振光谱选择性吸收器由电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成，取材方便，造价小，能大批量生产，具有重要的实用前景。