专利详情

专利名称	具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚
申请号	CN201210050830.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103290476A	公开（授权）日	2013.09.11
申请（专利权）人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	忻隽;孔海宽;严成峰;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏
主分类号	C30B29/36(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/36(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I
专利有效期	具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚至具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种用于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚结构，具体涉及具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚。本发明中坩埚的料腔结构采用多生长区统一料腔设计。本发明具有以下特点：采用多生长区、统一料腔设计。在本发明中，同一生长周期可以同时生长多个碳化硅单晶体。采用本发明的坩埚设计来生长碳化硅单晶，可以有效提高生长效率、节约生长时间、压缩晶体成本。与传统方法相比较，同样的设备配置前提下，将单晶生长效率提高2～3倍。