专利详情

专利名称	一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路
申请号	CN201310219744.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103293390A	公开（授权）日	2013.09.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	温景超;王立新
主分类号	G01R27/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01R27/26(2006.01)I
专利有效期	一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路至一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明公开了一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路，属于半导体器件测试技术领域。所述测试电路包括脉冲发生器、相位显示器、LCR表、电阻和选通开关；脉冲发生器的信号端与栅极电连接；脉冲发生器的接地端通过串联电阻与选通开关的固定端电连接；选通开关的两个选择端分别与源极和漏极电连接；脉冲发生器的接地端接地；LCR表的一端与栅极电连接，另一端与选通开关的固定端电连接；相位显示器电流输入端与栅极电连接，电压输入端与选通开关的固定端电连接。本发明不仅可以为评估器件的性能提供重要参数指标，而且对于优化功率MOSFET器件设计、提高器件的开关特性都具有重大意义。