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一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法

  • 申请号:CN201210047053.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
  • 公开(公开)号:CN103290466A
  • 公开(公开)日:2013.09.11
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法
申请号 CN201210047053.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103290466A 公开(授权)日 2013.09.11
申请(专利权)人 中国科学院理化技术研究所 发明(设计)人 胡章贵;岳银超;余雪松;毛倩;吴振雄
主分类号 C30B9/12(2006.01)I IPC主分类号 C30B9/12(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I
专利有效期 一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法 至一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法,本发明的YAB晶体生长助溶剂为Al2O3-硼化物-锂化物-金属氟化物混合体系;其中,Al2O3∶硼化物∶锂化物∶金属氟化物的摩尔比为(5~8)∶(2~4)∶(0.5~2)∶(0.5~1.5);所述硼化物为B2O3或H3BO3;所述锂化物为Li2O或Li2CO3;所述金属氟化物包括一价金属氟化物和二价金属氟化物。通过本发明的YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法可有效提高晶体生长过程中的晶体稳定性,获得大尺寸晶体。

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