二阶非线性光学聚芳酯材料及其合成方法和应用
- 申请号:CN201210054048.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN103289070A
- 公开(公开)日:2013.09.11
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 二阶非线性光学聚芳酯材料及其合成方法和应用 | ||
| 申请号 | CN201210054048.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103289070A | 公开(授权)日 | 2013.09.11 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 刘新厚;王亮;甄珍;薄淑晖;刘家磊;邱玲 |
| 主分类号 | C08G63/91(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G63/91(2006.01)I;C08G63/685(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08L67/03(2006.01)I;G02B1/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | 二阶非线性光学聚芳酯材料及其合成方法和应用 至二阶非线性光学聚芳酯材料及其合成方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及有机光功能材料领域,特别涉及二阶非线性光学聚芳酯材料及其合成方法和应用。本发明利用双酰氯化合物和带有羧基官能团的双酚化合物作为单体进行界面缩聚,得到侧链带有羧基的聚芳酯,进而在聚合物侧链上引入具有电光活性的发色团分子,得到侧链型二阶非线性光学聚芳酯材料;或者利用双酚化合物、双羟基发色团和双酰氯化合物作为单体进行共聚,得到主链上含有发色团分子的主链型二阶非线性光学聚芳酯材料。这两种方法均成功地解决了聚芳酯难溶而不易制得薄膜器件的难题。该两类聚芳酯制备成薄膜后在电场中升温极化,制备出具有高电光活性的聚芳酯薄膜,可以作为制备电光器件的材料。 | ||
交易流程
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专利 -
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