专利详情

专利名称	快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法
申请号	CN201210050324.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103286672A	公开（授权）日	2013.09.11
申请（专利权）人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	黄维;王乐星;庄击勇;陈辉;杨建华;施尔畏
主分类号	B24B37/07(2012.01)I	IPC主分类号	B24B37/07(2012.01)I
专利有效期	快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法至快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法。本发明在化学机械抛光阶段引入氧化剂，通过粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程即可使被加工的SiC晶片获得具有原子台阶表面。该抛光工艺仅使用三个工艺，大大简化了SiC单晶的抛光流程，降低了成本；且每个工艺的工艺参数固定，这样利于抛光得到晶片加工质量的一致性和稳定性，提高了成品率；另外，整个工艺时长在10小时以内，较目前的主流工艺而言，大大缩短了抛光时间。