专利详情

专利名称	磁控溅射设备及其靶台
申请号	CN201320161814.4	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203174196U	公开（授权）日	2013.09.04
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院;香港中文大学	发明（设计）人	陈昊;罗海林;贺凡;肖旭东;顾光一
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I
专利有效期	磁控溅射设备及其靶台至磁控溅射设备及其靶台	法律状态
说明书摘要	一种靶台，用于在衬底上通过磁控溅射法形成薄膜，包括靶材、金属支板、阳极板、阴极板及挡片；所述靶材固定于与所述衬底相对的位置；所述支板围绕于所述靶材周围并与所述靶材相对于所述衬底的面相垂直，同时与靶材的侧面形成间隙；所述阳极板垂直固定于所述支板上，所述阳极板位于所述靶材和衬底之间，且位于衬底上接收溅射粒子的面积之外；阴极板固定于所述靶材之下；所述挡片设置于所述靶材的周缘，并遮盖所述支板与所述靶材的侧面之间的间隙。上述磁控溅射设备中，挡片能够阻挡并承接下落的碎屑，延长了短路维护周期，降低了维护成本。同时还提供了一种使用上述靶台的磁控溅射设备。