专利详情

专利名称	一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法
申请号	CN201310187544.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103275355A	公开（授权）日	2013.09.04
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	胡源;周克清;桂宙
主分类号	C08K9/04(2006.01)I	IPC主分类号	C08K9/04(2006.01)I;C08K9/02(2006.01)I;C08K3/30(2006.01)I;C08L25/06(2006.01)I
专利有效期	一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法至一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种有机改性二硫化钼纳米片层的制备方法，其包括如下步骤：通过溶剂热法用插层剂对层状二硫化钼进行插层处理后离心、洗涤并干燥，得到插层二硫化钼；将插层二硫化钼水解，得到二硫化钼悬浮液；将有机改性剂加入二硫化钼悬浮液中，在25～90℃下反应3～10h，将得到的产物离心、洗涤并干燥，即获得有机改性二硫化钼纳米片层。本发明提供的有机改性二硫化钼纳米片层制备方法简单，成本低，制得的有机改性二硫化钼纳米片层的层间距大，能较好的分散在有机溶剂中且不易团聚，具有广阔的应用前景。