专利详情

专利名称	长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法
申请号	CN201310202050.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103280695A	公开（授权）日	2013.09.04
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	曾徐路;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉
主分类号	H01S5/343(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法至长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器，包括顺次连接的下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层，其中，所述有源区采用GaNAsBi/GaAs多量子阱结构。本发明可降低激光器阈值电流，提高激光器增益，实现无制冷工作，适合面发射激光器等多类激光器，其生产成本低于InP基激光器，且该多量子阱激光器有源区不含Al，可降低生长工艺的难度，提高激光器的良率和寿命。