专利详情

专利名称	一种工业化厚GEM制作方法
申请号	CN201310182365.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103280387A	公开（授权）日	2013.09.04
申请（专利权）人	中国科学院高能物理研究所;惠州市金百泽电路科技有限公司	发明（设计）人	吕军光;武守坤;谢宇广;俞伯祥;章爱武;陈裕韬;唐宏华
主分类号	H01J9/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01J9/00(2006.01)I
专利有效期	一种工业化厚GEM制作方法至一种工业化厚GEM制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种工业化厚GEM制作方法。本方法为：1)在厚GEM原板上制备定位联接孔；2)将步骤1)处理后的厚GEM原板覆上一层抗蚀层；3)将设计图像转移至步骤2)处理后的厚GEM原板上；4)在步骤3)处理后的厚GEM原板上制备厚GEM孔；5)对所有厚GEM孔制备绝缘环；6)去除厚GEM原板上的所述抗蚀层。对步骤6)处理后的厚GEM原板上镀一层金层可进一步提升性能。本发明实现低成本、短周期、大面积、高成品率的国产厚GEM的工业化全流水线批量生产；并且生产出来的厚GEM应具有增益高、增益稳定性好，能量分辨好，耐打火，可在氩基和氖基等多种混和气体。