一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法
- 申请号：CN201310148741.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号：CN103276451A
- 公开(公开)日：2013.09.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法 | ||
| 申请号 | CN201310148741.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103276451A | 公开（授权）日 | 2013.09.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 邓惠勇;郭建华;邱锋;张云;胡古今;俞国林;戴宁 |
| 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/02(2006.01)I;C30B29/42(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法 至一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法，该方法包括快速退火与空气淬火二个步骤。首先将InAs样品放置于快速退火炉中，接着立即将温度升至退火温度，并保温一段时间，最后迅速将样品从退火炉中取出放置于烧杯中，待样品冷却至室温即可。本发明的优点是：方法简单、有效可行。 | ||
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