专利详情

专利名称	一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法
申请号	CN201310136042.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103268898A	公开（授权）日	2013.08.28
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	李彬;韩勤;杨晓红
主分类号	H01L31/107(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法至一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种雪崩光电探测器，其用于探测目标探测光，并包括纵向依次排列的吸收层(3)、第一电荷层(41)、倍增层(5)、第二电荷层(42)和渡越层(6)，其中第一电荷层(41)为N型掺杂，第二电荷层(42)为P型掺杂。吸收层(3)用于吸收目标探测光，将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对；第一电荷层(41)用于调控器件内部电场分布；倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩效应，产生雪崩载流子对，雪崩载流子对中的空穴经由所述渡越层(6)纵向漂移至所述雪崩光电探测器的一端。本发明能更好地调节雪崩光电探测器的电容和载流子渡越时间，有利于其高频特性的提高。