专利详情

专利名称	一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法
申请号	CN201310191038.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103267939A	公开（授权）日	2013.08.28
申请（专利权）人	上海电力学院;中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	崔昊杨;李志锋;许永鹏;曾俊冬;唐忠;杨俊杰;汤乃云;朱武;陈琳
主分类号	G01R31/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/26(2006.01)I
专利有效期	一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法至一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法，采用超快脉冲激光照射光伏型碲镉汞薄膜探测器，探测器输出信号呈现脉冲形式的光伏响应信号，数字存储示波器采集并储存光伏信号，探测器光伏响应信号为一个峰值时，为欧姆电极；当探测器光伏响应信号存在两个峰值时，判断电极界面存在肖特基接触，第一个光伏峰值由电极界面肖特基接触形成，第二个光伏峰值由pn结形成，分别计算肖特基接触形成和pn结形成的脉冲光伏的峰值，判断电极质量。是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，适合于衡量器件的实际性能，对于研究碲镉汞的界面效应，发展有关碲镉汞界面的理论，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。