专利详情

专利名称	一种三结级联太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201310153285.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103258907A	公开（授权）日	2013.08.21
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	李奎龙;董建荣;孙玉润;曾徐路;赵勇明;于淑珍;赵春雨;杨辉
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I
专利有效期	一种三结级联太阳能电池及其制备方法至一种三结级联太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及太阳能技术领域，尤其是三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长InxGa1-xAs1-yNy底电池层、第一隧道结、InmGa1-mAs1-nNn中间电池层、第二隧道结、AlpGa1-p-qInqP顶电池层及GaAs接触层；再在所述GaAs衬底底部及所述GaAs接触层顶部制作欧姆电极。本发明还提供这种太阳能电池的结构。本发明实现对太阳光谱的分段吸收利用，各个子电池间的电流匹配，各个电池层与GaAs晶格匹配，可获得较高的电池效率，是一种潜在的理想的太阳能电池材料。