专利详情

专利名称	低发散角单纵模边发射光子晶体激光器
申请号	CN201310157583.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103259188A	公开（授权）日	2013.08.21
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	渠红伟;张冶金;张建心;刘磊;马绍栋;石岩;郑婉华
主分类号	H01S5/065(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/065(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I
专利有效期	低发散角单纵模边发射光子晶体激光器至低发散角单纵模边发射光子晶体激光器	法律状态	授权
说明书摘要	一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括：在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，其上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上面，一绝缘层制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的侧面，一P型电极制作在P型上限制层脊形结构的一侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面，一N型电极制作在衬底的背面。本发明可以降低制作成本；可以对激光器光场进行调控，降低了垂直发散角，改善了单纵模激光器光束质量，降低整形难度，提高光纤耦合的效率。