专利详情

专利名称	一种α相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法与应用
申请号	CN201310152832.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103258959A	公开（授权）日	2013.08.21
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	胡文平;张宗鹏;江浪
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I
专利有效期	一种α相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法与应用至一种α相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种α相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：（1）在二氧化硅基底上制备十八烷基三氯硅烷单分子层得到修饰的基底；（2）将所述修饰的基底进行真空蒸镀，则在所述十八烷基三氯硅烷单分子层上得到酞菁氧钛层；（3）通过物理气相传输法在所述酞菁氧钛层上制备酞菁氧钛薄膜，则在所述基底上即得到所述α相酞菁氧钛多晶薄膜。本发明提供的α相酞菁氧钛多晶薄膜的结晶性好，具有良好的半导体场效应性能，具有很好的空气稳定性。用本发明的α相酞菁氧钛多晶薄膜构筑的场效应晶体管具有良好的性能。