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薄膜电池的制作方法以及薄膜电池

  • 申请号:CN201310156172.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 公开(公开)号:CN103258909A
  • 公开(公开)日:2013.08.21
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 薄膜电池的制作方法以及薄膜电池
申请号 CN201310156172.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103258909A 公开(授权)日 2013.08.21
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 张瑞英
主分类号 H01L31/18(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I
专利有效期 薄膜电池的制作方法以及薄膜电池 至薄膜电池的制作方法以及薄膜电池 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种薄膜电池的制作方法以及薄膜电池。所述方法包括如下步骤:在导电衬底上沉积电池层;在电池层上形成纳米光栅制备需要的纳米图案;在上述纳米图案做为掩模的保护下,在电池层的表面形成纳米光栅;在电池层的纳米光栅表面形成PN结;在PN结表面制备顶电极;在电池层的窗口区沉积介质膜,以钝化纳米光栅,形成完整的叠层纳米光栅结构;在导电衬底未沉积电池层的一侧制备背面电极。本发明的优点在于,在纳米级织构化电池表面沉积介质膜,以有效钝化其表面非辐射复合中心,且不破坏其高效陷光效应,从而使得纳米结构真正应用于太阳电池,提高电池效率,实现电池高性价比。

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