薄膜电池的制作方法以及薄膜电池
- 申请号:CN201310156172.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号:CN103258909A
- 公开(公开)日:2013.08.21
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 薄膜电池的制作方法以及薄膜电池 | ||
| 申请号 | CN201310156172.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103258909A | 公开(授权)日 | 2013.08.21 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明(设计)人 | 张瑞英 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I |
| 专利有效期 | 薄膜电池的制作方法以及薄膜电池 至薄膜电池的制作方法以及薄膜电池 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种薄膜电池的制作方法以及薄膜电池。所述方法包括如下步骤:在导电衬底上沉积电池层;在电池层上形成纳米光栅制备需要的纳米图案;在上述纳米图案做为掩模的保护下,在电池层的表面形成纳米光栅;在电池层的纳米光栅表面形成PN结;在PN结表面制备顶电极;在电池层的窗口区沉积介质膜,以钝化纳米光栅,形成完整的叠层纳米光栅结构;在导电衬底未沉积电池层的一侧制备背面电极。本发明的优点在于,在纳米级织构化电池表面沉积介质膜,以有效钝化其表面非辐射复合中心,且不破坏其高效陷光效应,从而使得纳米结构真正应用于太阳电池,提高电池效率,实现电池高性价比。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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过户资料
平台保障
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