专利详情

专利名称	非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法
申请号	CN201310157617.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103258919A	公开（授权）日	2013.08.21
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	李浩;曾湘波;谢小兵;杨萍;李敬彦;张晓东;王启明
主分类号	H01L31/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/20(2006.01)I
专利有效期	非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法至非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法及应用该方法制备n型多晶硅薄膜SPA结构的HIT电池的方法，其中太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法，是采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在通入腔室氢气的情况下，对太阳能电池的非晶硅与多晶硅薄膜界面进行钝化处理。氢等离子体界面处理可以降低多晶硅薄膜的表面态，从而使得SPA结构的HIT电池的非晶硅与多晶硅薄膜的界面态减少，使得光照下产生的光生载流子在界面处的复合减少，增加了光生载流子的收集，提高电池的转换效率。