专利详情

专利名称	硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法
申请号	CN201310176286.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103258796A	公开（授权）日	2013.08.21
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩
主分类号	H01L21/8238(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I
专利有效期	硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法至硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；将其放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；将样品进行抛光，同时清洗MOCVD反应室和样品舟；再将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；在高温砷化镓层上生长砷化镓缓冲层和InGaP半绝缘层；在InGaP半绝缘层上生长nMOSFET结构；在nMOSFET结构上采用PECVD技术生长二氧化硅层；从二氧化硅层的上表面选区向下刻蚀，刻蚀深度到达锗层内，形成台面，未刻蚀的区域为III-V族区，台面部分为锗区；在III-V族区和锗区之间以及同一区不同器件区域之间制作隔离绝缘墙；在nMOSFET结构上以及锗层的台面上进行源、栅和漏工艺，完成CMOS的制备。