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一种多孔碳化硅载体表面梯度孔隙分子筛涂层及制备方法

  • 申请号:CN201310164573.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
  • 公开(公开)号:CN103252253A
  • 公开(公开)日:2013.08.21
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种多孔碳化硅载体表面梯度孔隙分子筛涂层及制备方法
申请号 CN201310164573.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103252253A 公开(授权)日 2013.08.21
申请(专利权)人 中国科学院金属研究所 发明(设计)人 张劲松;矫义来;杨振明;田冲;曹小明
主分类号 B01J29/40(2006.01)I IPC主分类号 B01J29/40(2006.01)I;B01J29/70(2006.01)I;B01J29/08(2006.01)I
专利有效期 一种多孔碳化硅载体表面梯度孔隙分子筛涂层及制备方法 至一种多孔碳化硅载体表面梯度孔隙分子筛涂层及制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明属于催化剂及其应用领域,具体是一种多孔碳化硅载体表面梯度孔隙分子筛涂层及其制备方法。该多孔碳化硅载体表面的分子筛涂层具有连续梯度变化的晶间孔隙率,内层分子筛涂层中分子筛晶体之间孔隙率较低,外层分子筛涂层中分子筛晶体之间孔隙率较高。该结构涂层通过两步涂覆结合蒸汽处理实现:首先,在泡沫碳化硅载体表面涂覆胶态分子筛前躯体;之后,涂覆胶态分子筛前驱体、分子筛晶体及造孔剂的混合物;最后,通过蒸汽处理,将分子筛前躯体转化为分子筛晶体并实现涂层与载体之间的牢固结合。本发明控制胶态分子筛前躯体与分子筛晶体的比例及添加造孔剂,可以调节涂层的晶间孔隙率。该梯度涂层与载体结合牢固,传质能力强,适合大规模制备。

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