专利详情

专利名称	铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法
申请号	CN201110422208.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102522434A	公开（授权）日	2012.06.27
申请（专利权）人	香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院	发明（设计）人	尹苓;肖旭东
主分类号	H01L31/0224(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法至铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜光伏电池装置包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层、导电窗口层及栅电极，其中，所述栅电极为p型或n型的石墨烯薄膜。近乎透明的石墨烯薄膜作为CIGS薄膜光伏电池装置的栅电极，最显著的优势是透光，单层石墨烯只吸收2.3％的光，相较之传统使用的Ni/Al栅极完全不透光，该光伏电池装置的有效受光面积增加，短路电流升高，电池效率也升高。