专利详情

专利名称	一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法
申请号	CN201110416856.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102522453A	公开（授权）日	2012.06.27
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	万青;竺立强;张洪亮;吴国栋
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法至一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明公开了一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法。首先，在清洗制绒后的p型晶体硅片背表面沉积含磷的二氧化硅薄膜，或者，在清洗制绒后的n型晶体硅片背表面沉积含硼的二氧化硅薄膜；然后，制备前、背收集电极，将背部收集电极引出后，在电池的背表面制备二氧化硅薄膜，并在二氧化硅薄膜表面制备场效应电极；最后，在p型晶体硅电池的场效应电极与前栅电极间加载正偏压，或者，在n型晶体硅电池的场效应电极与前栅电极间加载负偏压，完成电池制作。与现有的晶体硅太阳能电池制作方法相比，本发明的方法简单易行，极大地简化了现有的制作工艺，降低了制作成本，具有广阔的应用前景。