专利详情

专利名称	一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液
申请号	CN201110411337.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102516878A	公开（授权）日	2012.06.27
申请（专利权）人	上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王良咏;刘卫丽;宋志棠;刘波;钟旻
主分类号	C09G1/02(2006.01)I	IPC主分类号	C09G1/02(2006.01)I;C09K5/02(2006.01)I
专利有效期	一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液至一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液	法律状态	公开
说明书摘要	本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、氧化剂、表面改善剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1-30wt%，所述氧化剂的含量为0.01-10wt%，所述表面改善剂的含量为0.0001-5wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著改善抛光后相变材料表面质量，实现对小于1nm的低表面粗糙度和微缺陷(腐蚀坑、残留、划痕和抛光雾等)的控制。