压电纳米线的叠层结构及其制造方法
- 申请号：CN201110404235.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102522493A
- 公开(公开)日：2012.06.27
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 压电纳米线的叠层结构及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201110404235.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102522493A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 万里兮;周静 |
| 主分类号 | H01L41/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L41/18(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I;B82Y15/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 压电纳米线的叠层结构及其制造方法 至压电纳米线的叠层结构及其制造方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种压电纳米线的叠层结构，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，在受到压力弯曲时，其压电效应产生的电压串联，因此输出了更高的电压，此外，第一导电层和第二导电层便于将压电信号引出，并保护了压电层，便于将压电纳米线叠层结构应用于各种器件的制造。 | ||
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