一种多耦合磁传感器
- 申请号:CN201110426477.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 公开(公开)号:CN102520372A
- 公开(公开)日:2012.06.27
- 法律状态:公开
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专利详情
| 专利名称 | 一种多耦合磁传感器 | ||
| 申请号 | CN201110426477.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN102520372A | 公开(授权)日 | 2012.06.27 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明(设计)人 | 邢增平;钱华荣;徐凯;何彬 |
| 主分类号 | G01R33/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R33/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种多耦合磁传感器 至一种多耦合磁传感器 | 法律状态 | 公开 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种多耦合磁传感器,包括传感器本体和施加在传感器本体上的直流磁场;所述的传感器本体包括磁致伸缩材料片、通过界面的连接与磁致伸缩材料片复合的压电材料片以及通过界面的连接与磁致伸缩材料片和/或压电材料片复合的磁铁块,所述的压电材料片设有电压输出端。本发明多耦合磁传感器可简单通过边界条件调整磁伸缩-压电和磁扭-压电的相位,使得两种耦合效应叠加,获得比一般磁伸缩-压电或磁扭-压电更大的磁电耦合效应,从而输出更大的电压。 | ||
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