专利详情

专利名称	多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法
申请号	CN201110416216.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102520212A	公开（授权）日	2012.06.27
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	刘争晖;徐耿钊;钟海舰;樊英民;曾雄辉;王建峰;周桃飞;邱永鑫;徐科
主分类号	G01Q30/20(2010.01)I	IPC主分类号	G01Q30/20(2010.01)I;G01Q60/02(2010.01)I
专利有效期	多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法至多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明提供多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法，属于半导体测试领域。装置包括反应腔室、原子力显微镜、电子显微镜和样品台，样品台、原子力显微镜、电子显微镜均位于反应腔内；所述减薄待测样品的方法步骤为：将一样品置于反应腔室内；测量待测样品的第一裸露表面的第一接触电势差V1；移开原子力显微镜的导电探针；刻蚀第一裸露表面一深度X，露出第二表面；测量待测样品的第二裸露表面的第一接触电势差V2；比较V1与V2大小，判断是否继续刻蚀。本发明解决了现有技术无法进行精确解剖的问题，本发明做到精确解剖异质结器件，对半导体器件的制备和性质研究有重要意义。