专利详情

专利名称	改性硅树脂基体的制备方法及其应用
申请号	CN201110402170.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102516774A	公开（授权）日	2012.06.27
申请（专利权）人	中国科学院过程工程研究所;唐山三友硅业有限责任公司;中国科学院唐山高新技术研究与转化中心	发明（设计）人	王文忠;张建敏;李允浩;李庆;陈春江;李索海;任海涛;刘秋艳;董春辉;段东平
主分类号	C08L83/07(2006.01)I	IPC主分类号	C08L83/07(2006.01)I;C08L83/16(2006.01)I;C08K13/06(2006.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;C08K5/14(2006.01)I;C08G77/20(2006.01)I;C08G77/62(2006.01)I;C08J5/04(2006.01)I
专利有效期	改性硅树脂基体的制备方法及其应用至改性硅树脂基体的制备方法及其应用	法律状态	公开
说明书摘要	本发明涉及一种改性硅树脂基体的制备方法及其应用。改性硅树脂基体的制备方法；烷基氯硅烷和乙烯基氯硅烷两者的混合物或采用烷基氯硅烷、乙烯基氯硅烷或苯基氯硅烷三者的混合物溶于甲苯或二甲苯，在-5~70℃水解，经分液、水解及浓缩后，经稀释、过滤后即得到硅树脂；向硅树脂中加入0.5~5%经疏水处理的气相白炭黑，得到A组分；将浓度为30~40%低聚硅氮烷的甲苯溶液作为B组分；以过氧化物作为C组分；将100质量份的A组分、0.5~5质量份的B组分和0.1~1质量份的C组分混合，得到改性硅树脂基体。改性硅树脂基体，具有固化速度快，材料相容性好、成膜后硬度高的优点；且能够作为耐高温低介电损耗复合材料的树脂基体。