一种抗温度老化的低电阻率热释电陶瓷材料及其制备方法
- 申请号：CN201210005866.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN102515757A
- 公开(公开)日：2012.06.27
- 法律状态：公开
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专利详情
| 专利名称 | 一种抗温度老化的低电阻率热释电陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201210005866.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102515757A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 姚春华;郭少波;董显林;王根水;曹菲;陈建和 |
| 主分类号 | C04B35/49(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/49(2006.01)I;C04B35/491(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种抗温度老化的低电阻率热释电陶瓷材料及其制备方法 至一种抗温度老化的低电阻率热释电陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 公开 |
| 说明书摘要 | 本申请涉及一种抗温度老化的低电阻率热释电陶瓷材料及其制备方法，在此提供的热释电陶瓷材料，其主要化学组成为Pb1+δ(Sb2/3Mn1/3)y(ZrxTi1-x)1-yO3+wat%A，且式中：A选自Mn和Cr中的至少一个；δ=-0.05～0.05，w=0～10（优选0～2），x=0.75～0.90，y=0.01～0.25。 | ||
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