专利详情

专利名称	铜铟镓硒太阳能电池装置及其制备方法
申请号	CN201110422209.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102522437A	公开（授权）日	2012.06.27
申请（专利权）人	香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院	发明（设计）人	尹苓;肖旭东;张康
主分类号	H01L31/032(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I
专利有效期	铜铟镓硒太阳能电池装置及其制备方法至铜铟镓硒太阳能电池装置及其制备方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池装置，包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层，其中，导电窗口层为n型的石墨烯薄膜。石墨烯薄膜作为CIGS太阳能电池装置的导电窗口层，除了比传统导电窗口层ZnO:Al薄膜具有更低方块电阻外，还可以避免ZnO:Al薄膜导致的近红外光波段的损耗，提高电池对光的利用率，进而优化电池性能。此外，本发明还涉及一种铜铟镓硒太阳能电池装置的制备方法。